[슈카월드] 삼성전자, SK하이닉스 어디까지 올라갈까

삼성전자 시가총액 800조 원(전년 대비 2.28배) 돌파,

SK하이닉스 시가총액 500조 원(전년 대비 3.5배)  근접.

(약 1년 전 기준 삼성전자 350조 원, SK하이닉스 140조 원)

2026년 현재 세계에서 가장 강한 주가지수 코스피.

최초로 4,300 돌파.

 

삼성전자 분기별 영업이익 추이(단위 :조원) 예상치는 약 18조~20조 원.

전년 동기 대비 +200%, 역대 최대 수치.

현재 주요 증권사들의 2026년 영업이익 전망은 100조를 넘기고 있음.

만약 진짜로 2026년 100조를 번다면 비싸지 않을 지도?

(현재 PER도 약 10배에 불과)

 

SK하이닉스 올해 영업이익 전망치도 거의 100조 원에 육박.

주요 증권사별 2026년 SK하이닉스 목표주가.

역시 대부분의 증권사 내년도 영업이익 목표와 목표주가를 일제히 높임.

 

물론 PBR 기준으로는 삼성전자가 1.5배, SK하이닉스가 2배가 넘는 수준.

(반도체 기업들은 업다운이 심한 사이클이 있어서 PBR을 많이 사용)

 

남은 과제는 정말로 올해 두 회사가 100조(평년 대비 2배)를 벌 수 있는가?

최근 1년 기준 글로벌 기업 중 가장 많은 돈을 번 기업은 구글.

(SK하이닉스 9등, 삼성전자 11등)

 

만약 삼성전자나 SK하이닉스가 내년에 100조를 벌 수 있다면 글로벌 7위권.

TSMC를 제치고 메타 바로 아래 7위에 안착.

(구글, 애플, MS, 엔비디아, 아마존, 메타, TSMC, 텐센트, SK하이닉스, 브로드컴, 삼성전자, 마이크론)

 

삼성전자는 TSMC 대비 시가총액이 절반 이하 수준.

순이익 100조 회사들의 시총은 보통 2 천조를 넘음.

TSMC, 브로드컴에 비해서도 크게 낮은 시가총액.

 

최근 5년 주요 반도체 기업들 주가 상승률 :

드보르컴(680%), SK하이닉스(390%), 마이크론(307%), TSMC(173%), 삼성전자(44%)

 

D램 공급 쇼크에 빠진 시장.

(연초 이후 6배 상승)

전 분기 대비 약 50% 상승, 한 분기에 가격이 50%에 오른다?

(돈 되는 HBM에 몰려서)

 

자동차에서 컴퓨터까지 모든 가전기기에서 메모리 칩의 공급 부족 현상이 나타남.

(칩 재고를 쌓아두고 있는 반도체 가격의 급등)

- 삼성전자와 SK하이닉스 두 기업은 D램 시장의 70% 이상을 점유.

 

반도체는 대부분 모든 전자제품에 들어가고 가격이 약 10~20% 상승할 것.

심지어 마이크론은 12월 3일 핵심 소비자 사업 철수 발표.

 

AI 기반 데이터 센터의 성장으로 '메모리'와 '스토리지' 수요가 급증.

주요 전략적 고객에 대한 공급과 지원을 개선하기 위해 소비자 사업에서 철수.

 

AI 기업용 초고용량 SSD를 늘리다 보니 낸드 생산량이 줄어들어 가격이 UP.

- 삼성전자는 2024년초 반도체 업황 부진으로 평택 반도체 공장 건설을 멈췄었음.

(2025년 11월 삼성전자는 평택 5 공장 건설 재개를 공식화)

 

SK하이닉스도 반도체 공장 건설에 박차를 가하는 중.

(600조 원을 투자해 용인에 4개 공장, 신도시 하나를 만드는 분량의 중장비 동원)

50층 아파트 높이의 팹(약 120조 원 비용 예상, 현재 팹의 6배 규모)

 

엄청난 규모의 증설이 예정되어 있기는 하지만 가장 빠른 생산시기가 2027년.

공급량을 늘리려고 노력하고 있지만 반도체 공장 하나를 짓는데 최소 2~3년이 걸림.

(수요 폭발에 미리 대비하지 못함)

 

불타는 HBM 경쟁 : SK하이닉스(62%), 마이크론(21%), 삼성전자(17%)

차세대 HBM4(2026년 2월부터 양산 계획)

- 베이스 다이(D램 다이 가장 아래 바닥에 있는)가 핵심.

(연산처리 기능 본격 도입, 단순 전달자가 아닌 두뇌 역할, 간단한 CPU 역할로 맞춤 설계 가능)

그런데 '메모리' 회사가 'CPU'를 만들어야 하는 꼴.

(최첨단 선단 공정이 들어가서 파운드리 공정이 필요, 현재는 메모리 공정에서 진행)

 

'SK하이닉스'는 TSMC에 베이스 다이 제조를 맡길 예정.

'삼성전자'는 자체 파운드리 기술로 HBM4를 제조한다는 계획.

 

HBM4는 기존 절반 0.025mm 간격(피치)으로 2,048개(HBM3 1,024개) 구멍을 뚫어야 함(식각, 에칭).

글로벌 1위 에칭 기업은 램리서치.

엄청나게 작은 구멍을 미세하게 더 좁은 간격으로 더 깊게 뚫는 능력.

이 미세한 구멍에 전기가 흐르려면 벽면에 절연막을 입혀야함.

(엄청나게 얇고 깊은 구멍에 균일하고 더 얇은 절연막을 입히는 기술)

원자를 이용해서 박막을 만듦.

에칭 분야의 우리나라 대표 기업이 원익IPS.

 

HBM4의 기본 높이는 16단(HBM3는 12단)

4개의 D램 다이를 더 적층하되 높이는 동일하게 만들어야함.

D램 다이의 두께를 50마이크로 미터에서 30 마이크로미터까지 줄여야함.

D램을 어떻게 더 얇으면서 내구도 있게 만들 것인가.

D램 다이와 D램 다이는 범프라는 납으로 연결.

각 데이터 통로를 범프라는 초소형 납땜 공으로 연결.

(범프가 크기를 줄이는 것이 마이크로 범프)

이 범프를 녹여서 HBM을 접합시켜 주는 장비가 TC본더.

TC 본더의 배표적인 기업이 한미반도체(SK하이닉스에 장비 공급).

16단을 만들려면 범프가 없으면 더 좋음.

이를 범프리스(하이브리드 본딩 기술)이라고 함.

 

HBM4E로 가면 이 높이는 20단으로 늘어날 것.

(다만 높이는 똑같이, 더 얇고 더 깊고 더 정밀하게)

 

[참고]

HBM의 단수가 올라가도 높이를 유지해야 하는 이유는

**"이미 정해진 시스템 설계(GPU 구조 및 표준 규격)에 맞추면서도,

안정적인 전기 연결과 효율적인 열 배출을 보장하기 위해서"**입니다.

이를 위해 삼성전자나 SK하이닉스 같은 제조사들은 칩을 더 얇게 깎거나,

칩 사이의 간격을 혁신적으로 줄이는 TC-NCF 또는 MR-MUF 같은

특수 공정 기술을 경쟁적으로 개발하고 있습니다.